[发明专利]反应腔结构及半导体等离子处理系统有效

专利信息
申请号: 201310564943.2 申请日: 2013-11-14
公开(公告)号: CN104637766B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 陈妙娟;吴狄;何乃明 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 代理人: 张静洁,姜银鑫
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种反应腔结构及半导体等离子处理系统,包含腔体、连接设置在腔体底部的集成转接器,该主腔体下方包括具有第一直径的主腔体开口,所述集成转接器由环形侧壁围绕形成用于气体流通的内部通道,所述转接器包括上下相连接的腔底密闭环和转接环,转接环的内部通道具有第二直径,腔底密闭环的顶部与所述主腔体开口形状相匹配具有第一直径,腔底密闭环底部通道具有第二直径,其中第一直径大于第二直径。本发明将原有的腔体分为主下两部分腔体,并将主腔体底部与转接器相整合,简化了腔体内部的加工工艺。
搜索关键词: 反应 结构 半导体 等离子 处理 系统
【主权项】:
一种反应腔结构,包含主腔体(13)、连接设置在主腔体底部的集成转接器(2),该主腔体(13)下方包括具有第一直径的主腔体开口(11),所述集成转接器由环形侧壁围绕形成用于气体流通的内部通道,所述集成转接器包括上下相连接的腔底密闭环(21)和转接环(22),其特征在于,转接环(22)的内部通道具有第二直径,腔底密闭环(21)的顶部与所述主腔体开口(11)形状相匹配具有第一直径,腔底密闭环(21)底部通道具有第二直径,其中第一直径大于第二直径。
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