[发明专利]埋入式薄膜电阻材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310566007.5 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103643085A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 孙蓉;赖莉飞;符显珠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C22C19/05 | 分类号： | C22C19/05;C23C14/34;C23C14/16;H01C7/00;H01C17/12 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种埋入式薄膜电阻材料及其制备方法。该埋入式薄膜电阻材料按原子百分比计，包括镍50～76%、铬10～18%、碳10～30%和钨0.5～5%。通过磁控溅射技术把镍、铬、碳和钨原子沉积于铜箔衬底上得到镍铬碳钨薄膜，经实验表明，使用该镍铬碳钨薄膜的埋入式薄膜电阻器件的电性能较稳定，方阻值较高。 | ||
| 搜索关键词： | 埋入 薄膜 电阻 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种埋入式薄膜电阻材料，其特征在于，按原子百分比计，包括：镍50～76%、铬10～18%、碳10～30%和钨0.5～5%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院深圳先进技术研究院，未经中国科学院深圳先进技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310566007.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
