[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310571984.4 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104637961B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 高境鸿 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一装置基板、一导电薄膜、一介电薄膜与一导电插塞。装置基板包括一半导体基板与一导电结构。导电结构配置在半导体基板的一主动面上。装置基板具有一基板开口穿过半导体基板并露出导电结构。导电薄膜、介电薄膜与导电插塞配置在基板开口中。介电薄膜介于导电薄膜与导电插塞之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：装置基板，包括：半导体基板；导电结构，配置在该半导体基板的一主动面上，其中该装置基板具有一基板开口穿过该半导体基板并露出该导电结构；导电薄膜；介电薄膜；以及导电插塞，其中该导电薄膜、该介电薄膜与该导电插塞配置在该基板开口中，该介电薄膜介于该导电薄膜与该导电插塞之间；以及介电层，配置在该基板开口中，并在该导电薄膜下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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