[发明专利]包括芯片载体的半导体器件组件、半导体晶片和制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201310588326.6 申请日: 2013-11-21
公开(公告)号: CN103839910B 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: K.侯赛因;A.毛德;P.森格 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/544;H01L21/78
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 马红梅;马永利
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要: 发明涉及包括芯片载体的半导体器件组件、半导体晶片和制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括芯片载体以及具有半导体部分和传导结构半导体管芯。焊接层在半导体管芯的焊接侧机械连接和电连接芯片载体和传导结构。在焊接侧,沿半导体管芯的边缘的最外侧表面部分到芯片载体的距离大于中央表面部分到芯片载体的距离。传导结构覆盖中央表面部分以及中间表面部分的至少区段,所述中间表面部分相对于中央表面部分倾斜。焊接材料被有效地防止以免于涂覆易受损坏的这样的半导体表面,并且焊接引起的污染被显著地减少。
搜索关键词: 包括 芯片 载体 半导体器件 组件 半导体 晶片 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件组件,包括:芯片载体;半导体管芯,包括半导体部分和传导结构;焊接层,在半导体管芯的焊接侧机械连接和电连接芯片载体和传导结构,其中在焊接侧,沿半导体管芯的边缘的最外侧表面部分到芯片载体的距离大于中央表面部分到芯片载体的距离,并且传导结构覆盖中央表面部分以及中间表面部分的至少区段,所述中间表面部分相对于中央表面部分倾斜并且连接中央表面部分和最外侧表面部分,其中所述传导结构至少包括第一金属子层和由第二不同传导材料提供的第二子层,其中所述第一金属子层形成对铜离子和原子来说不能透过的阻挡层,其中所述第一金属子层位于所述中央表面部分和所述第二子层之间并且还覆盖所述最外侧表面部分,并且所述第二子层位于所述第一金属子层和所述焊接层之间,并且所述第二子层沿着中央表面部分以及中间表面部分的至少部分存在而沿着最外侧表面部分不存在。
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