[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310593999.0 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103915497B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李钟锡;洪坰国;千大焕;郑永均 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;彭益群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括碳化硅(SiC)的半导体器件及其制造方法。本发明利用沟槽栅极来增加碳化硅MOSFET中的沟道的宽度。与传统技术相比，根据本发明的示例实施例，可以通过在沟槽的两侧上形成多个延伸到p型外延层的突起来增加沟道的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：n+型碳化硅基板；依次地设置在所述n+型碳化硅基板的第一表面上的n-型外延层、p型外延层、和n+区；沟槽，其穿透所述n+区和所述p型外延层，设置在所述n-型外延层上，且包括设置于所述沟槽两侧上的多个突起；设置在所述沟槽内的栅极绝缘膜；设置在所述栅极绝缘膜上的栅电极；设置在所述栅电极上的氧化膜；设置在所述p型外延层、所述n+区、和所述氧化膜上的源电极；和置于所述n+型碳化硅基板的第二表面上的漏电极，其中所述多个突起延伸到所述p型外延层，并且位于所述沟槽的一侧上的突起彼此间隔开。
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