[发明专利]一种用于电机驱动芯片的电流检测电路

摘要

发明公开了一种用于电机驱动芯片的电流检测电路，电路仅采用一个比较器完成了电流检测。比较器的负相输入为电机电阻的端电压Vsense，正相输入为基准电压Vref或“0”电压，根据电机电流的衰减情况将使能信号引入到比较器中以选择输入信号为基准电压Vref或“0”电压。比较器包括基准电路、差分比较器和共射级放大器。在电机电流处于上升阶段时，比较器的输入为Vref，当Vsense大于Vref时，输出高电平，实现输出峰值电流的设定；在电机电流处于快速衰减阶段时，比较器的正相输入为“0”电压，当Vsense大于“0”时，输出高电平，实现逆流保护。本发明相较于传统的电流检测电路结构更加简单，成本也较低。

主权项

一种用于电机驱动芯片的电流检测电路，其特征在于，所述电流检测电路采用一个比较器完成，所述比较器负相输入为电机电阻的端电压（Vsense），所述比较器的正相输入为基准电压（Vref）或直接接地的“0”电压；所述比较器包括若干电阻、若干MOS管、若干电感、基准电路、差分比较器和共射级放大器；在所述MOS管（M7）的栅极和所述MOS管（M9）的栅极引入了使能信号（EN）；所述使能信号（EN）的电平受电机电流的情况控制；所述基准电路包括MOS管（M1）、电阻（R1）和晶体管（Q1），所述基准电路用于产生恒定电压（VB）；所述差分比较器包括晶体管（Q2）、晶体管（Q3）、晶体管（Q4）、晶体管（Q5）、晶体管（Q6）、晶体管（Q7）、MOS管（M3）、MOS管（M4）和MOS管（M5），并且采用共集共射输入；所述电机电阻的端电压（Vsense）通过所述晶体管（Q2）的基极输入到所述比较器中，所述基准电压（Vref）或所述“0”电压通过所述晶体管（Q7）的基极输入到所述比较器；所述共射级放大器包括MOS管（M6）和晶体管（Q8）；所述MOS管（M6）的源极和所述晶体管（Q8）的发射极之间输出信号（out），所述输出信号（out）的电平受所述差分比较器和所述共射级放大器控制。