[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件。一种半导体器件包括集成在半导体主体中的至少两个器件单元。每个器件单元包括：漂移区、源极区、布置在源极区和漂移区之间的漏极区、二极管区、二极管区和漂移区之间的pn结、和具有第一侧壁、与第一侧壁相对的第二侧壁以及底部的沟槽。主体区邻接第一侧壁，二极管区邻接第二侧壁，并且pn结邻接沟槽的底部。每个器件单元进一步包括栅电极，所述栅电极布置在沟槽中并通过栅极电介质与主体区、二极管区和漂移区介电绝缘。所述至少两个器件单元的二极管区在半导体主体的横向方向上远离。

主权项

一种半导体器件，包括半导体主体和集成在所述半导体主体中的至少两个器件单元，每个器件单元包括：漂移区、源极区、以及布置在所述源极区和所述漂移区之间的主体区；二极管区、以及所述二极管区和所述漂移区之间的pn结；沟槽，具有第一侧壁、与第一侧壁相对的第二侧壁、以及底部，其中所述主体区邻接所述第一侧壁，所述二极管区邻接所述第二侧壁，并且所述pn结邻接所述沟槽的底部；栅电极，布置在所述沟槽中并通过栅极电介质与所述主体区、所述二极管区和所述漂移区介电绝缘；其中所述至少两个器件单元的二极管区在所述半导体主体的横向方向上远离。