[发明专利]硅基多结太阳能电池有效
| 申请号： | 201310613781.7 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104681651A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 宋太伟 | 申请（专利权）人： | 宋太伟 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0725;H01L31/0745 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200120 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种硅基多结太阳能电池，主要是由一个多晶硅或单晶硅PN结电池及叠加其上的多个同向薄膜PN结电池组成。顶层和末层为正、负电极层，在末层电极层上设有硅基层，在硅基层上通过扩散掺杂形成多晶硅或单晶硅PN结层，在扩散层与顶层上部电极层之间设有多个薄膜微晶或非晶PN结层，各PN结层之间设有连接层。本发明是基于多结硅等普通绿色材料的、高光电转换效率的太阳能叠层电池，市场潜力巨大。 | ||
| 搜索关键词： | 基多 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种硅基多结太阳能电池，包括一个多晶硅或单晶硅PN结电池及叠加其上的多个同向薄膜PN结电池，及顶层和末层正负电极层，其特征在于，在末层电极层上设有硅基层，在硅基层上通过扩散掺杂形成多晶硅或单晶硅PN结层，在多晶硅或单晶硅PN结与顶层电极层之间设有多个同向薄膜PN结层，各PN结层之间设有连接层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宋太伟;，未经宋太伟;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310613781.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
