[发明专利]包括交替的源极和漏极区域以及相应的源极和漏极金属带的半导体器件有效
| 申请号： | 201310616727.8 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103855216A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | A·W·洛特菲;J·德姆斯基;A·菲根森;D·D·洛帕塔;J·诺顿;J·D·威尔德 | 申请（专利权）人： | 英力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/528;H01L23/495;H01L21/336;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法，在一个实施例中，半导体器件包括衬底1105和在衬底1105上被形成为交替图案的多个源极“s”区域和漏极“d”区域。半导体器件还包括多个栅极1150，在多个源极区域和漏极区域中的源极区域和漏极区域之间并且与其平行地形成于衬底1105之上。半导体器件还包括第一多个交替的源极金属带和漏极金属带1111、1121，形成于在衬底1105上方的第一金属层中，并且与多个源极区域和漏极区域中的相应源极区域和漏极区域平行并且形成电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 交替 区域 以及 相应 金属 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；多个源极区域和漏极区域，在所述衬底上被形成为交替图案；多个栅极，在所述多个源极区域和漏极区域中的源极区域和漏极区域之间并且与其平行地形成于所述衬底之上；以及第一多个交替的源极金属带和漏极金属带，形成于在所述衬底上方的第一金属层中，并且与所述多个源极区域和漏极区域中的相应源极区域和漏极区域平行并且形成电接触。
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