[发明专利]薄膜太阳能电池CIGS吸收层的硒化方法无效
| 申请号： | 201310620779.2 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103606598A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 伍祥武;陈进中;吴伯增;林东东;甘振英 | 申请（专利权）人： | 柳州百韧特先进材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州凯东知识产权代理有限公司 44259 | 代理人： | 姚迎新 |
| 地址： | 545006 广西壮族自治区*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及CIGS太阳能电池的吸收层，具体说是薄膜太阳能电池CIGS吸收层的硒化方法，其包括制备硒蒸气、通过输送带将吸收层衬底输送至预热区预热、经预热的衬底输送至具有惰性气体保护的硒化区，同时将硒蒸气导入硒化区，向移动的衬底上喷射硒蒸气、喷涂有硒的衬底在硒化区反应、反应完成后，由输送带将衬底输送至冷却区进行冷却，然后将其输出。本发明采用向移动的衬底喷射硒蒸气的方式，不仅喷涂均匀，提高成膜均匀性；硒蒸气通过裂解后，再进行喷涂，提高了硒蒸气的活性，进而提高了成膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 cigs 吸收 方法 | ||
【主权项】：
薄膜太阳能电池CIGS吸收层的硒化方法，其包括以下步骤：（1）制备硒蒸气；（2）通过输送带将吸收层衬底输送至预热区预热；（3）经预热的衬底输送至具有惰性气体保护的硒化区，同时将硒蒸气导入硒化区，向移动的衬底上喷射硒蒸气；（4）喷涂有硒的衬底在硒化区反应；（5）反应完成后，由输送带将衬底输送至冷却区进行冷却，然后将其输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
