[发明专利]一种电子元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310628077.9 申请日: 2013-11-28
公开(公告)号: CN103606448A 公开(公告)日: 2014-02-26
发明(设计)人: 郑卫卫;吴震;戴春雷;孙峰;刘先忺 申请(专利权)人: 深圳顺络电子股份有限公司
主分类号: H01F37/00 分类号: H01F37/00;H01F41/00
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 王震宇
地址: 518110 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种电子元件制造方法,包括以下步骤:a.制备薄膜基片;b.制备基材浆料,所述基材浆料是与所述薄膜基片相匹配的材料;c.在所述薄膜基片上制作导电电极;d.在制有所述导电电极的所述薄膜基片上旋涂所述基材浆料,将具有流动性的基材浆料平整涂布在薄膜基片上;e.将多个经过步骤a~d处理的薄膜基片叠层后成型。在此还公开一种由该方法制造的电子元件。本发明可以避免叠层后的坯体存在内部裂纹,提高电子元件的可靠性并提升其电性能。
搜索关键词: 一种 电子元件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种电子元件制造方法,其特征在于,包括以下步骤:a.制备薄膜基片;b.制备基材浆料,所述基材浆料是与所述薄膜基片相匹配的材料;c.在所述薄膜基片上制作导电电极;d.在制有所述导电电极的所述薄膜基片上旋涂所述基材浆料,将具有流动性的基材浆料平整涂布在薄膜基片上;e.将多个经过步骤a~d处理的薄膜基片叠层后成型。
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