[发明专利]三维硅穿孔构建无效
| 申请号： | 201310629458.9 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103855135A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 泽圭姜;翟军 | 申请（专利权）人： | 辉达公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/18;H01L23/48;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 谢栒;张玮 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了三维硅穿孔构建。本发明的实施例包括具有一起封装在相同封装中的多个裸片的器件。多个裸片布置在内插件上，内插件则布置在封装衬底上。内插件包括诸如硅的半导体衬底，具有从内插件的前表面延伸到内插件的后表面的过孔。内插件可以是无源内插件或有源内插件。有源内插件包括一个或多个裸片的功能性，并且因此减小布置在有源内插件上的裸片的数目。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 穿孔 构建 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：封装衬底；内插件，其布置在所述封装衬底上并且电耦连到所述封装衬底；以及多个裸片，其布置在所述内插件上并且电耦连到所述内插件。
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