[发明专利]一种低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 201310632846.2 | 申请日: | 2013-12-02 |
公开(公告)号: | CN103641469A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 唐斌;李皓;袁颖;钟朝位;张树人 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C04B35/465 | 分类号: | C04B35/465;C04B35/20;C04B35/622 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李顺德;王睿 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法,属于电子信息功能材料与器件技术领域。材料包含主晶相和添加剂,主晶相包括MgTiO3、Mg2SiO4和CaTiO3,主晶相中含有少量的Mg2TiO4;添加剂包括MnO2、Co2O3、CeO2和Nb2O5;经检测具有较低的损耗(Q×f在65000~85000GHz之间),介电常数可调(9~20之间)、频率温度系数稳定(±10ppm/℃以内)和良好的加工性,能够满足微波通信行业的应用需求。制备方法为固相烧结方法,具有简单、易控、环保和成本低廉的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 损耗 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种低损耗微波介质陶瓷材料,包含主晶相和添加剂;其中主晶相包括MgTiO3、Mg2SiO4和CaTiO3,MgTiO3、Mg2SiO4和CaTiO3三者之间的摩尔比为(1‑x):x:y、且0
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310632846.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。