[发明专利]一种提高芯片健壮性的新型测试控制电路和方法在审
申请号: | 201310636545.7 | 申请日: | 2013-12-03 |
公开(公告)号: | CN104678284A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 范长永;周永存 | 申请(专利权)人: | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 100102 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种提高芯片健壮性的新型测试控制电路和方法。本发明提出了一种可以防止芯片正常应用时异常进入测试模式,从而导致芯片内数据被异常改写的新型测试控制电路。该电路通过测试使能信号控制测试电路的时钟信号和复位信号,在测试使能信号无效后,测试电路时钟信号被关闭同时测试电路复位信号保持低电平,使得测试电路无法启动,从而大大降低芯片异常进入测试模式的概率,降低了因异常进入测试模式导致芯片内数据被改写的几率,提高了芯片的健壮性。本发明具有很好的创新性、实用性和有效性。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 芯片 健壮性 新型 测试 控制电路 方法 | ||
【主权项】:
一种提高芯片健壮性的新型测试电路,其特征在于包括复位控制电路、复位产生电路、时钟控制电路、测试使能控制电路,复位控制电路包括寄存器DFF3和寄存器DFF4,复位产生电路包括与门AND1,时钟控制电路包括寄存器DFF1和与门AND2,测试使能控制电路包括寄存器DFF2,其中:测试使能信号1通过放在划片槽中的fuse线与寄存器DFF2的Q端相连,DFF2的D端接高电平,DFF2置位端接上电复位信号2;信号1和信号2经过与门AND1产生复位信号3,用于复位DFF3、DFF4和DFF1;信号1接至寄存器DFF1D端,经过DFF1锁存后产生信号6,外部时钟和信号6经过与门AND2产生时钟信号信号4为测试电路和复位控制电路提供时钟;DFF1复位来自信号3;信号1同时接至寄存器DFF3D端,经过DFF3和DFF4锁存后产生信号5,用于测试电路复位,DFF3和DFF4时钟信号来自信号4,复位信号来自信号3。
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