[发明专利]半导体发光元件在审
| 申请号： | 201310637458.3 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104681686A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈怡名;林俊宇;杨宗宪;徐子杰 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体迭层，包含一第一半导体层，一第二半导体层以及一主动层位于该第一半导体层与该第二半导体层之间，其中该半导体迭层具有一第一表面；多个凹部自该第一表面穿透该第一半导体层与该主动层，露出该第二半导体层；一第一接触结构位于该第一表面上，且与该第一表面欧姆接触；一第二接触结构位于该些凹部中与该第二半导体层欧姆接触；一第一焊接部位于该第一表面上，通过该第一接触结构与该第一半导体层电连结；以及一第二焊接部位于该第一表面上，通过该第二接触结构与该第二半导体层电连接；其中，该第一接触结构包含多个延伸电极，且该些多个延伸电极之间包含至少部分该第二接触结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，包含： 半导体迭层，包含第一半导体层，第二半导体层以及主动层位于该第一半导体层与该第二半导体层之间，其中该半导体迭层具有第一表面； 多个凹部，自该第一表面穿透该第一半导体层与该主动层，露出该第二半导体层； 第一接触结构，位于该第一表面上，且与该第一表面欧姆接触； 第二接触结构，位于该些凹部中与该第二半导体层欧姆接触； 第一焊接部，位于该第一表面上，通过该第一接触结构与该第一半导体层电连结；以及 第二焊接部，位于该第一表面上，通过该第二接触结构与该第二半导体层电连接； 其中，该第一接触结构包含多个延伸电极，且该些多个延伸电极之间包含至少部分该第二接触结构。
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