[发明专利]双重曝光的图案拆分方法以及系统有效
申请号: | 201310655176.6 | 申请日: | 2013-12-05 |
公开(公告)号: | CN104701140B | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 王良 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种双重曝光的图案拆分方法,包括:提供目标图案;定义相互垂直的第一、第二方向;获取接触孔图案尺寸数据以及接触孔图案几何中心到相邻接触孔图案的几何中心在第一方向、第二方向的投影距离;计算得到接触孔图案到相邻接触孔图案的边界距离;对比判断是否将所述接触孔图案拆分至不同的分掩模。本发明还提供一种双重曝光的图案拆分系统,包括位置识别单元、方向定义单元、第一、第二测量单元、计算单元以及比较单元。本发明具有以下优点:获取的边界距离小于现有的拆分方法中接触孔图案几何中心之间的距离,按照所述边界距离与阈值进行比对,能够尽量避免拆分后位于同一分掩模上的接触孔图案之间排列得过于紧密。 | ||
搜索关键词: | 接触孔图案 边界距离 几何中心 双重曝光 图案 掩模 位置识别单元 比较单元 尺寸数据 第二测量 方向定义 计算单元 目标图案 投影距离 垂直的 比对 | ||
【主权项】:
1.一种双重曝光的图案拆分方法,其特征在于,包括:提供目标图案,所述目标图案包括若干相互独立的接触孔图案;在目标图案的平面内定义第一方向以及第二方向,并使所述第一方向以及第二方向相互垂直;获取所述接触孔图案以及至少一个相邻接触孔图案的尺寸数据;获取接触孔图案的几何中心到相邻接触孔图案的几何中心在第一方向的投影距离;获取接触孔图案的几何中心到相邻接触孔图案的几何中心在第二方向的投影距离;通过所述接触孔图案的尺寸数据、相邻接触孔图案的尺寸数据、所述第一方向的投影距离以及第二方向的投影距离,计算得到所述接触孔图案到相邻接触孔图案的边界距离,所述边界距离为在接触孔图案与相邻接触孔图案沿几何中心连线方向上的边界之间的距离;将所述边界距离与阈值进行相对大小的比对,以判断是否将所述接触孔图案拆分至不同的分掩模。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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