[发明专利]BICMOS集成电路中双极器件的制造方法无效
| 申请号： | 201310665755.9 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103606537A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 唐宁;王鹏;陆虹;刘旸;孙大成 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛强 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了BICMOS集成电路中双极器件的制造方法，包括：在N衬底上形成包括P型阱及N型阱的基区；在基区上形成场氧化层及多晶硅栅极；在环形多晶硅栅极的中间区域及外围区域内进行发射区及集电区的制造，在发射区、集电区及基极区的上层制造金属外引线层。从而，本发明解决了现有BICMOS集成电路产品抗辐照及加固特性低的问题。实现了对寄生双极管放大倍数的调节；同时，通过对栅氧的特殊工艺处理，增强寄生双极器件的抗辐照特性。 | ||
| 搜索关键词： | bicmos 集成电路 中双极 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
BICMOS集成电路中双极器件的制造方法，包括：在N衬底上形成包括P型阱及N型阱的基区；在所述基区上进行场区氧化，形成场氧化层；在所述P型阱的场氧层上制造环形多晶硅栅极；在所述环形多晶硅栅极的中间区域及外围区域内同时进行N+注入区光刻，在该N+注入区内注入磷，在所述中间区域形成发射区，在所述外围形成集电区；在所述P型外延的场氧层上方的边缘区域中，进行P+注入区光刻，在该P+注入区内注入硼，形成基极区；在所述发射区、集电区及基极区的上层制造金属外引线层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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