[发明专利]光学耦合器件在审
| 申请号： | 201310675025.7 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103872170A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 野邑由起夫 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/12 | 分类号： | H01L31/12;H01L31/02;H01L31/0203 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光学耦合器件。所述光学耦合器件包括：第一引线框架；安装在第一引线框架上的光发射器件；构造为接收从光发射器件输出的光信号的光接收器件；覆盖光发射器件的半透明硅基树脂层；以及连接第一引线框架和光发射器件的导线。导线由包含银的材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 耦合 器件 | ||
【主权项】：
一种光学耦合器件，其包括：第一引线框架；光发射器件，所述光发射器件被安装在所述第一引线框架上；光接收器件，所述光接收器件被构造为接收从所述光发射器件输出的光信号；半透明硅基树脂层，所述半透明硅基树脂层被设置为覆盖所述光发射器件；以及导线，所述导线被设置为连接所述第一引线框架和所述光发射器件，其中，所述导线由包含银的材料形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310675025.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超声弹性成像系统和方法
- 下一篇：一种气压伸缩的增高腿
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
