[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201310675940.6 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103681487A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 高金字;陆文正 | 申请（专利权）人： | 华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 215217 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管基板及其制造方法，包括复数个薄膜晶体管，包括：一基板以及复数个薄膜晶体管，各该薄膜晶体管包括：一栅极，设置于该基板上；一栅极保护层，设置于该基板上，并覆盖该栅极；一金属氧化物主动层，设置于该栅极保护层上；一金属氧化物保护层，设置于该金属氧化物主动层上；一蚀刻终止层，设置于该金属氧化物保护层上，其中一第一贯孔及一第二贯孔贯穿该蚀刻终止层及该金属氧化物保护层；一源极及一漏极，分别设置于该第一贯孔及该第二贯孔内，并电性连接该金属氧化物主动层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括下列步骤：提供一基板；形成一栅极于该基板上；形成一栅极保护层于该基板上，并覆盖该栅极；形成一金属氧化物层于该栅极保护层上；形成一绝缘材料层于该金属氧化物层上；移除部份的该金属氧化物层及部份的该绝缘材料层，而分别形成一金属氧化物主动层及一金属氧化物保护层；形成一第一贯孔及一第二贯孔，该第一贯孔及该第二贯孔裸露出该金属氧化物主动层的上表面，并贯穿该金属氧化物保护层；以及分别设置一源极及一漏极于该第一贯孔及该第二贯孔内，用以电性连接该金属氧化物主动层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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