[发明专利]制作层堆叠的方法有效
| 申请号： | 201310678119.X | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103871914B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | P.加尼策尔;M.哈里逊;K.马托伊;M.施波恩 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/58;H01L25/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马丽娜,胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制作层堆叠的方法。在一个实施例方法中，第一Ti基层被沉积在衬底上。中间的Al基层被沉积在第一层上，第二NiV基层被沉积在中间层上，并且第三Ag基层被沉积在第二层上。该层堆叠以这样的方式即在包含Ti，Al，Ni和V的组的至少两个金属之间形成至少一个金属间相来被回火。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 堆叠 方法 | ||
【主权项】：
一种制作衬底的层堆叠的方法，所述方法包括：在衬底上沉积具有在从100nm到400nm的范围中的厚度的第一Ti基层；在第一层上沉积具有在从30nm到50nm的范围中的厚度的中间的Al基层；在中间层上沉积具有在从200nm到400nm的范围中的厚度的第二NiV基层；在第二层上沉积具有在从200nm到600nm的范围中的厚度的第三Ag基层；其中，中间层中的Al利用选自由Ti，Ni，和V构成的组的金属通过回火部分地被转换成金属间相。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
