[发明专利]基板支撑装置及基板处理装置有效
申请号: | 201310680379.0 | 申请日: | 2013-12-12 |
公开(公告)号: | CN104711542A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 李大濬;崔亨燮;金容珍 | 申请(专利权)人: | 圆益IPS股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及基板支撑装置及基板处理装置,包括:腔室,形成处理空间;气体喷射器,在所述腔室的内部供给处理气体;及基板支撑台,配置在所述腔室的内部支撑基板,所述基板支撑台,具有通过分别的流通渠道,向所述基板的上部边缘及下部边缘供给净化气体的流通渠道,可使净化气体在基板的边缘位置领域均匀的供给。 | ||
搜索关键词: | 支撑 装置 处理 | ||
【主权项】:
一种基板支撑装置,其特征在于,包括:基板支撑体,安装基板;及保护环,设置在所述基板支撑体上,形成为了在高于所述基板支撑体的上面的位置向所述基板喷射气体的流通渠道。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的