[发明专利]半导体封装件及其制法在审

专利信息
申请号: 201310682691.3 申请日: 2013-12-12
公开(公告)号: CN104681532A 公开(公告)日: 2015-06-03
发明(设计)人: 沈子杰;邱士超;陈嘉成 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种半导体封装件及其制法,该半导体封装件包括:第一介电层、第一线路层、第二介电层、至少一黏着件、电子组件、第二线路层以及多个导电盲孔,其中,该第一介电层具有相对的第一表面与第二表面及贯穿该第一表面与第二表面的介电层开口,且该第一线路层嵌埋于该第一介电层中且外露于该第一表面,于该第一介电层的第二表面上形成有该第二介电层,其填入该介电层开口中,该介电层开口中的该第二介电层中形成有该黏着件,该电子组件设置于该介电层开口中的该黏着件上,且该第二介电层远离该第一表面的表面上形成有该第二线路层,又于该第二介电层中形成有电性连接该第二线路层与电子组件的该多个导电盲孔。
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制法
【主权项】:
一种半导体封装件的制法,包括:于一承载板上形成第一线路层;于该承载板上形成第一介电层,以包覆该第一线路层,令该第一介电层具有面向该承载板的第一表面与其相对的第二表面;形成贯穿该第一表面与第二表面的介电层开口,以外露部分该承载板;于该介电层开口中形成至少一黏着件;于该黏着件上设置电子组件;于该第一介电层及电子组件上形成第二介电层,以包覆该电子组件与黏着件;于该第二介电层中形成多个电性连接该电子组件的导电盲孔,并于该第二介电层上形成电性连接该导电盲孔的第二线路层;以及移除该承载板。
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