[发明专利]闪存的制作方法

摘要

本申请提供了一种闪存的制作方法。该制作方法包括：提供半导体基底，半导体基底划分为逻辑电路区、高压电路区和快闪存储区；在半导体基底上依次沉积衬垫氧化层、氮化硅层和缓冲氧化层；形成浅沟槽隔离并去除氮化硅层和缓冲氧化层，在半导体基底上形成浅沟槽隔离结构；在快闪存储区和高压电路区形成N阱区；在高压电路区形成P阱区；对快闪存储区欲设置控制栅极的第一位置以及欲设置选择栅极的第二位置进行离子注入；在快闪存储区形成浮栅、在第一位置上形成选择栅极、在第二位置上形成控制栅极；以及形成逻辑电路区的晶体管结构和高压电路区的晶体管结构。解决了现有工艺难以满足小尺寸闪存器件制作需要的问题。

主权项

1.一种闪存的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，提供半导体基底(100)，所述半导体基底(100)划分为逻辑电路区(Ⅰ)、高压电路区(Ⅱ)和快闪存储区(Ⅲ)；步骤S2，在所述半导体基底(100)上依次沉积衬垫氧化层(101)、氮化硅层(102)和缓冲氧化层(103)；步骤S3，形成浅沟槽隔离并去除所述氮化硅层(102)和缓冲氧化层(103)，在半导体基底(100)上形成浅沟槽隔离结构(105)；步骤S4，在所述快闪存储区(Ⅲ)和所述高压电路区(Ⅱ)形成N阱区；步骤S5，在所述高压电路区(Ⅱ)形成P阱区；步骤S6，对所述快闪存储区(Ⅲ)欲设置控制栅极的第一位置以及欲设置选择栅极的第二位置进行离子注入；步骤S7，在所述快闪存储区(Ⅲ)形成浮栅(109)、在所述第一位置上形成控制栅极、在所述第二位置上形成选择栅极；以及步骤S8，形成所述逻辑电路区(Ⅰ)的晶体管结构和所述高压电路区(Ⅱ)的晶体管结构。