[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201310683598.4 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103762245B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 孙建;陈鹏骏;李成;安星俊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置中由于像素尺寸的减少无法在相邻数据线之间同层制作漏极的问题。本发明的薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置采用了将漏极与栅极同层设置，克服了在数据线垂直方向上由于曝光分辨率不足无法与数据线同层制作漏极的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，包括衬底以及设置在衬底上的薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、有源区，所述的源极、漏极分别与有源区相连，所述的源极连接数据线，其特征在于，所述的漏极沿数据线所在方向与栅极同层设置，所述源极和所述漏极位于不同层，且二者位于所述有源区的同一侧；其中，所述源极和所述漏极分别通过相应的过孔与所述有源区连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310683598.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
