[发明专利]3DIC互连装置和方法

摘要

本发明提供了一种互连装置及其形成方法。将两个衬底（诸如晶圆、管芯、或晶圆和管芯）接合在一起。使用第一掩模形成部分地延伸至形成在第一晶圆上的互连件的第一开口。形成介电衬层，然后使用相同的掩模实施另一个蚀刻工艺。继续蚀刻工艺以暴露出形成在第一衬底和第二衬底上的互连件。用导电材料填充开口以形成导电插塞。本发明还公开了3DIC互连装置和方法。

主权项

一种半导体装置，包括：第一半导体芯片，包括第一衬底、多个第一金属间介电层、和形成在所述第一衬底上方的所述第一金属间介电层中的多条第一金属线；第二半导体芯片，具有接合至所述第一半导体芯片的第一表面的表面，其中，所述第二半导体芯片包括第二衬底、多个第二金属间介电层、和形成在所述第二衬底上方的所述第二金属间介电层中的多条第二金属线；以及导电插塞，从所述第一半导体芯片的第二表面延伸穿过所述第一半导体芯片，并到达所述第二半导体芯片中的所述多条第二金属线中的一条，所述导电插塞具有从所述第一半导体芯片的第二表面至所述第一半导体芯片中的所述多条金属线中的一条的连续垂直侧壁；介电衬层，位于所述导电插塞和所述多个第一金属间介电层中的一个或多个之间，所述介电衬层未延伸至所述第一半导体芯片中的多条金属线中的一条；其中，所述第一半导体芯片中的多条金属线中的同一条在邻近边缘的水平表面处具有凹槽，并且所述连续垂直侧壁延伸至所述凹槽。