[发明专利]一种光学临近修正的方法在审
| 申请号： | 201310695777.X | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104714362A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 王铁柱 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光学临近修正的方法，包括：步骤（a）根据目标版图，制备初始OPC模型；步骤（b）选用所述初始OPC模型进行常规模拟和检查步骤，以及选用所述OPC模型进行工艺窗口OPC模拟和检查步骤；步骤（c）查找缺陷点，若没有缺陷点则将所述初始OPC模型作为最终OPC模型，执行步骤（d），若查找到缺陷点则对所述缺陷点进行自动修正，然后对修正后的缺陷点进行工艺窗口OPC模拟，并进行检查，至没有缺陷点为止，并输出最终OPC模型；步骤（d）根据所述最终OPC模型，制备光刻掩膜板。本发明所述OPC修正方法的优点在于所述方法运行一步OPC修正步骤即可输出得到OPC模型，节省了整个OPC过程的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光学 临近 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种光学临近修正的方法，包括：步骤（a）根据目标版图，制备初始OPC模型；步骤（b）选用所述初始OPC模型进行常规模拟和检查步骤，以及选用所述OPC模型进行工艺窗口OPC模拟和检查步骤；步骤（c）查找缺陷点，若没有缺陷点则将所述初始OPC模型作为最终OPC模型，执行步骤（d），若查找到缺陷点则对所述缺陷点进行自动修正，然后对修正后的缺陷点进行工艺窗口OPC模拟，并进行检查，至没有缺陷点为止，并输出最终OPC模型；步骤（d）根据所述最终OPC模型，制备光刻掩膜板。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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