[发明专利]具有被改造以用于背栅偏置的沟道芯部的场效应晶体管及制作方法有效
| 申请号： | 201310701503.7 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103915484B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 平井友洋;南云俊治 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底和在衬底上形成的源极结构和漏极结构。至少一个纳米线结构将源极结构和漏极结构互连，并且用作源极结构和漏极结构之间的沟道。在所述至少一个纳米线结构表面之上形成栅极结构，以提供对沟道中的载流子的传导率的控制，并且纳米线结构包括用作用于沟道的背偏置电极的中心芯部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改造 用于 偏置 沟道 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；源极结构和漏极结构，形成于所述衬底上；至少一个纳米线结构，互连所述源极结构和所述漏极结构，并且用作所述源极结构与所述漏极结构之间的沟道；以及栅极结构，形成于所述至少一个纳米线结构之上，以提供对所述沟道中的载流子的传导率的控制，其中所述至少一个纳米线结构中的每个纳米线结构包括用作用于所述沟道的背偏置电极的中心芯部。
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