[发明专利]一种具有ESD保护功能的强抗闩锁可控LIGBT器件

摘要

发明涉及电子技术，具体的说是涉及一种具有ESD保护功能的强抗闩锁可控LIGBT器件。本发明的LIGBT器件，通过隔离区13将N型外延层3隔离为两个部分，隔离区13一侧的N型外延层3中设置有第一P型阱区4和N型阱区6，隔离区13另一侧的N型外延层3中设置有第二P型阱区5，在第二P型阱区5中设置有相互独立的第二N型重掺杂区22和第三N型重掺杂区23。本发明的有益效果为，在不上电情况下，通过寄生SCR泄放电流，具有很强的ESD能力；在上电情况下，LIGBT的寄生SCR不能开启，不会发生snapback,具有高于击穿电压的维持电压，因此具有很强的抗闩锁能力。本发明尤其适用于用于ESD保护的LIGBT器件。

主权项

一种具有ESD保护功能的强抗闩锁可控LIGBT器件，包括P型衬底（1）、位于P型衬底（1）上端面的绝缘层（2）和位于绝缘层（2）上端面的N型外延层（3），所述N型外延层（3）中设置有隔离区（13）将N型外延层（3）隔离为两个部分，所述隔离区（13）一侧的N型外延层（3）中设置有第一P型阱区（4）和N型阱区（6），所述第一P型阱区（4）中设置有相互独立的第一N型重掺杂区（21）和第一P型重掺杂区（31），所述N型阱区（6）中设置有第二P型重掺杂区（32），所述N型外延层（3）的上端面设置场氧化层（8）和第一薄氧化层（10），所述第一薄氧化层（10）与第一P型阱区（4）的上端面和场氧化层（8）连接，所述场氧化层（8）与N型阱区（6）的上端面连接，所述第一薄氧化层（10）的上端面设置有第一多晶硅栅（9），所述N型外延层（3）中设置有隔离区（13），其特征在于，所述隔离区（13）另一侧的N型外延层（3）中设置有相互独立的第二N型重掺杂区（22）和第三N型重掺杂区（23），在第二N型重掺杂区（22）和第三N型重掺杂区（23）之间的N型外延层（3）的上端面设置有第二薄氧化层（12），所述第二薄氧化层（12）上端面设置有第二多晶硅栅（11），所述第二N型重掺杂区（22）和第一P型重掺杂区（31）通过导线连接，所述第一多晶硅栅（9）与第一N型重掺杂区（21）和第三N型重掺杂区（23）连接。