[发明专利]高密度封装电子组件发射率检测方法有效

专利信息
申请号: 201310703899.9 申请日: 2013-12-18
公开(公告)号: CN103674265A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 何小琦;冯敬东;宋芳芳;来萍;恩云飞 申请(专利权)人: 工业和信息化部电子第五研究所
主分类号: G01J5/00 分类号: G01J5/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 王茹;曾旻辉
地址: 510610 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了高密度封装电子组件发射率检测方法,包括:对控温箱体进行温度控制,使所述电子组件温度稳定于预设值;获取各个被测元器件的反射表观温度;将获取的各个被测元器件的反射表观温度,作为对各个被测元器件的环境反射温度补偿;分别调整各个被测元器件的发射率,探测所述各个被测元器件的温度;将各个被测元器件的温度等于所述预设值时发射率的调整值作为各个被测元器件发射率的检测值。本发明采用红外热像探测方式和反射温度补偿控制技术,对电子组件内部各个被测元器件的表观温度和实际温度进行有效探测,通过被测元器件反射温度补偿,实现所有被测元器件发射率的检测和修正,解决高密度组装和复杂封装结构的电子组件发射率检测难题。
搜索关键词: 高密度 封装 电子 组件 发射 检测 方法
【主权项】:
一种高密度封装电子组件发射率检测方法,其特征在于,包括以下步骤:将腔体封帽打开的电子组件置于控温箱体内,其中,所述电子组件中的被测元器件通过所述打开的腔体封帽暴露;保持所述电子组件为非工作状态;对控温箱体进行温度控制,使所述电子组件温度稳定于预设值;根据所述电子组件中各个被测元器件的材料特性,选择相应的电子材料反射测试板,并置于所述电子组件的表面;利用红外探头对准所述控温箱体上的红外窗口,对所述电子材料反射测试板进行聚焦;对所述电子材料反射测试板进行温度探测,获取各个被测元器件的反射表观温度;将获取的各个被测元器件的反射表观温度,作为对各个被测元器件的环境反射温度补偿;设置所述环境反射温度补偿之后,移开所述电子材料反射测试板;分别调整各个被测元器件的发射率,探测所述各个被测元器件的温度;当探测到的各个被测元器件的温度等于所述预设值时,停止所述调整,并将当前各个被测元器件发射率的调整值作为各个被测元器件发射率的检测值。
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