[发明专利]等离子体产生装置及应用其的表面处理方法在审
| 申请号： | 201310704213.8 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104378899A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 刘志宏;梁沐旺;吴胜斌;沈添沐 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24;A61C17/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离子体产生装置、应用其的表面处理方法与生物组织表面处理方法。该等离子体产生装置包括：等离子体导管、反应源导管、第一电极及第二电极。等离子体导管具有等离子体出口。反应源导管设于等离子体导管内，且具有反应物出口。第一电极及第二电极设于等离子体导管上，其中第二电极比第一电极邻近于等离子体出口。反应源导管的反应物出口不突出超过第一电极的下缘。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 产生 装置 应用 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体产生装置，其特征在于，包括：一等离子体导管，具有一等离子体出口；一反应源导管，设于该等离子体导管内，且具有一反应物出口；一第一电极，设于该等离子体导管上；以及一第二电极，设于该等离子体导管上且比该第一电极邻近于该等离子体导管的该等离子体出口；其中，该反应源导管的该反应物出口不突出超过该第一电极的一下缘。
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