[发明专利]一种消除浅沟道隔离过程中硅基底缺陷的方法

摘要

本发明提供一种消除浅沟道隔离刻蚀过程中硅基底缺陷的方法，该方法包括以下步骤：提供一硅基底，该硅基底上依次覆盖有氧化物层和氮化硅层，其中硅基底含有缺陷；对氮化硅层进行刻蚀至暴露出氧化物层表面为止，形成第一沟槽；沿第一沟槽对氧化物层刻蚀至暴露出硅基底为止，形成第二沟槽；沿第一沟槽和第二沟槽对硅基底刻蚀至缺陷暴露出为止，形成第三沟槽；沿第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽对暴露出的缺陷进行刻蚀并使其被清除；沿第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽对硅基底刻蚀，最终完成浅沟道隔离区的刻蚀。本发明通过对硅基底中缺陷的单独刻蚀，防止了隔离沟槽中缺陷的形成，减小了浅沟道隔离过程中的漏电现象，达到符合要求的隔离效果。

主权项

一种消除浅沟道隔离刻蚀过程中硅基底的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)提供一硅基底，在该硅基底上表面依次形成氧化物层和氮化硅层，其中硅基底中含有氧化物缺陷；(2)利用光掩模图形作为掩膜，对所述氮化硅层进行刻蚀，直至暴露出氧化物层上表面，从而在所述氮化硅层中形成第一沟槽；(3)利用第一沟槽作为硬掩膜，沿所述第一沟槽对所述氧化物层继续刻蚀，直至暴露出硅基底，从而形成与第一沟槽贯通的第二沟槽；(4)利用第一沟槽作为硬掩膜，沿所述贯通的第一沟槽和第二沟槽对所述硅基底继续刻蚀，至缺陷暴露为止，形成与第二沟槽贯通的第三沟槽；(5)利用第一沟槽作为硬掩膜，沿所述贯通的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，用刻蚀氧化物缺陷的方式使暴露出的氧化物缺陷被清除；(6)利用第一沟槽作为硬掩膜，沿所述贯通的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽对所述硅基底进行继续刻蚀，直到最终完成浅沟道隔离区的刻蚀为止，形成第四沟槽。