[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201310718480.0 申请日: 2013-12-23
公开(公告)号: CN103715265A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 刘翔 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/10;G02F1/1362;H01L27/12
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的底栅型薄膜晶体管在制作过程中可能导致源漏电极金属与栅极金属发生短路的问题。本发明的薄膜晶体管包括:形成在衬底上方的栅极,所述栅极连接在栅线上;以及形成在所述栅极和栅线上方的半导体层;其中,所述半导体层至少部分超出所述栅极。本发明的阵列基板包括上述薄膜晶体管,所述显示装置包括上述阵列基板。本发明可提高底栅型薄膜晶体管的产品良率。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 显示装置
【主权项】:
一种薄膜晶体管,包括:形成在衬底上方的栅极,所述栅极连接在栅线上;形成在所述栅极和栅线上方的半导体层;其特征在于,所述半导体层至少部分超出所述栅极。
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