[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体制造装置及树脂密封用片状树脂在审
申请号: | 201310721866.7 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN104425292A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 前田竹识;川户雅敏;松岛良二;福田昌利 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及半导体装置的制造方法、半导体制造装置及树脂密封用片状树脂。本发明的实施方式提供能够对片状树脂的溶融不均匀化及由摆动所引起的外观质量下降中的至少一方进行抑制的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包括:准备具有凹部的片状树脂(1)的步骤;在压缩成形用的第1模具内配置设置有半导体芯片(18)的基板(19)的步骤;在压缩成形用的第2模具内将具有凹部的片状树脂(1)配置为与半导体芯片(18)相对的步骤;对具有凹部的片状树脂(1)进行加热的步骤;使第1模具和第2模具接近、使半导体芯片(18)浸渍于加热而溶融了的溶融树脂中以进行压缩成形,从而用溶融树脂的固化物对半导体芯片(18)进行密封。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 树脂 密封 片状 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,包括:准备具有凹部的片状树脂的步骤,该凹部至少包括贯通孔和非贯通孔中的一方;在压缩成形用的第1模具内配置设置有半导体芯片的电路基材的步骤;在压缩成形用的第2模具内将所述具有凹部的片状树脂配置为与所述半导体芯片相对的步骤;对所述具有凹部的片状树脂进行加热的步骤;和使所述第1模具与所述第2模具接近、使所述半导体芯片浸渍于加热而溶融了的溶融树脂中以进行压缩成形,从而用所述溶融树脂的固化物对所述半导体芯片进行密封的步骤,所述准备具有凹部的片状树脂的步骤,包括:对所述半导体芯片的密封所必需的树脂的量进行计量,并基于计量出的所述树脂的量将成为供给源的树脂的一部分分离出来的步骤;和将所述分离出来的树脂的一部分去除,形成所述凹部的步骤,所述凹部的体积比在将所述片状树脂配置于所述第2模具时残留的空气的气泡的体积小,并且多个所述凹部的间隔比所述空气的气泡的宽度窄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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