[发明专利]导电金属互联线及其制备方法有效
| 申请号： | 201310722431.4 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103715171A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 赵策;姜春生;袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种导电金属互联线，包括交互往复沉积于衬底上的至少一层导电金属膜层和至少一层厚度为纳米量级的高熔点金属膜层；所述至少一层导电金属膜层的厚度和所述至少一层高熔点金属膜层的厚度的总和为预先设定的厚度。本发明所述的导电金属互联线及其制备方法，周期性往复沉积至少一层导电金属膜层和至少一层厚度为纳米量级的高熔点金属膜层，沉积适当厚度的高熔点金属膜层可以大量吸收导电金属膜层中的应力，使导电金属膜层中的应力得到释放，有效抑制了小丘现象的发生，同时也限制了导电金属晶粒的过分长大，进而降低整个膜层的表面粗糙度，通过这种沉积方法沉积制备的导电金属互联线性能良好，符合大规模生产应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 金属 互联线 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种导电金属互联线，其特征在于，包括交互往复沉积于衬底上的至少一层导电金属膜层和至少一层厚度为纳米量级的高熔点金属膜层；所述至少一层导电金属膜层的厚度和所述至少一层高熔点金属膜层的厚度的总和为预先设定的厚度。
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