[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310722617.X | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103915539A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 金升龙;洪政佑 | 申请（专利权）人： | 日进LED有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 杨生平;钟锦舜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及能够提高p-电极极板与电流断开图案之间的粘结力，从而提高器件的长期可靠性的氮化物半导体发光器件及其制造方法。本发明的氮化物半导体发光器件，其特征在于，包括：n型氮化物层；活性层，形成于上述n型氮化物层上；p型氮化物层，形成于上述活性层上；电流断开图案，形成于上述p型氮化物层上；透明导电图案，以覆盖上述p型氮化物层及电流断开图案的上侧的方式形成，并具有使上述电流断开图案的一部分露出的连通孔；以及p-电极极板，形成于上述电流断开图案及透明导电图案上，直接与上述电流断开图案相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光器件，其特征在于，包括：n型氮化物层；活性层，形成于上述n型氮化物层上；p型氮化物层，形成于上述活性层上；电流断开图案，形成于上述p型氮化物层上；透明导电图案，以覆盖上述p型氮化物层及电流断开图案的上侧的方式形成，并具有使上述电流断开图案的一部分露出的连通孔；以及p‑电极极板，形成于上述电流断开图案及透明导电图案上，直接与上述电流断开图案相连接。
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