[发明专利]一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310726455.7 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681900A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈朝;陈蓉;范宝殿 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L31/0264 | 分类号： | H01L31/0264;H01L31/18 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法，涉及晶体硅。所述Ni掺杂晶硅中间带材料的载体为晶体硅，在晶体硅中掺杂Ni杂质，Ni元素在晶体硅中的浓度大于5.9×1019cm-3，掺杂Ni杂质形成杂质中间带。使用磁控溅射法或蒸发镀膜法在硅片表面制备一层Ni薄膜；使用一维线型连续激光对Ni薄膜进行激光辐照；用氢氟酸溶液对激光辐照后的硅片进行腐蚀后，得Ni掺杂晶硅中间带材料。Ni掺杂晶硅中间带材料能明显提高红外光谱的吸收，提高少子寿命，使用该材料制备的中间带电池能明显提高太阳能电池对红外部分太阳光的利用率，减少电池的发热，提高电池效率，成本低，制作快速简便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ni 掺杂 中间 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ni掺杂晶硅中间带材料，其特征在于其载体为晶体硅，在晶体硅中掺杂Ni杂质，Ni元素在晶体硅中的浓度大于5.9×1019cm‑3，掺杂Ni杂质形成杂质中间带。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310726455.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
