[发明专利]集成电路的阱的制造方法

摘要

本发明提供一种集成电路的阱的制造方法。该方法包括依次在衬底表面生长初始氧化层、淀积氮化硅和涂覆光刻胶；并实施第一次光刻，在第一预设区域形成第一元素掺杂区和第一氧化层；再涂覆光刻胶，去除第二预设区域的光刻胶；第二预设区域包括与第一预设区域重合的第三预设区域，以及与第一预设区域完全不重合的第四预设区域；在第四预设区域形成第二元素掺杂区和第二氧化层，在第三预设区域形成第三氧化层；在第一预设区域和第二预设区域之外的区域，形成第二元素掺杂区；最后对衬底进行热处理，以使得上述第一元素和第二元素扩散形成P阱和N阱。本发明相比传统方法节省光刻次数，降低了成本。

主权项

一种集成电路的阱的制造方法，其包括：在衬底表面形成初始氧化层，在初始氧化层表面淀积氮化硅，形成氮化硅层；在氮化硅层表面涂覆光刻胶，去除第一预设区域的光刻胶和氮化硅，使该第一预设区域内暴露出初始氧化层；在所述第一预设区域的衬底的表层形成第一元素掺杂区，去除所述第一预设区域之外的光刻胶，在所述第一元素掺杂区的表面形成第一氧化层，所述第一氧化层的厚度大于所述初始氧化层的厚度；去除所述第一预设区域之外的氮化硅，在初始氧化层和第一氧化层表面重新形成氮化硅层，在其表面涂覆光刻胶，去除第二预设区域的光刻胶和氮化硅，所述第二预设区域包括与第一预设区域重合的第三预设区域，以及与第一预设区域不重合的第四预设区域；在所述第四预设区域的衬底的表层形成第二元素掺杂区，去除所述第二预设区域之外的光刻胶，在所述第二元素掺杂区的表面形成第二氧化层，在所述第三预设区域形成第三氧化层，所述第三氧化层的厚度大于所述第一氧化层；去除所述第二预设区域之外的氮化硅，在所述第一预设区域和所述第二预设区域之外的衬底表层形成第二元素掺杂区；对经上述处理的衬底进行热处理，以使得上述第一元素和第二元素扩散形成P阱和N阱；其中所述第一元素或第二元素选自硼元素和ⅤA族元素中的一种，且所述第一元素和第二元素不同族。