[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201310727100.X | 申请日: | 2013-12-25 |
公开(公告)号: | CN103700626B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 田肖雄;张卓;邓伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,安利霞 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置,所述方法包括在衬底基板的第一面形成栅线、栅极和覆盖栅线和栅极的栅绝缘层;在栅绝缘层上形成半导体薄膜;利用所述栅极和栅线作为掩膜对所述半导体薄膜进行构图,形成位于所述栅线和栅极所在区域内部的源半导体层;利用所述源半导体层制作目标半导体层。本发明能够避免有源层错位,进而避免由于有源层错位所导致的显示器亮度不均匀的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板的第一面形成栅线、栅极和覆盖栅线和栅极的栅绝缘层;在栅绝缘层上形成半导体薄膜;利用所述栅极和栅线作为掩膜对所述半导体薄膜进行构图,形成位于所述栅线和栅极所在区域内部的源半导体层;利用所述源半导体层制作目标半导体层;所述利用所述栅极和栅线作为掩膜对所述半导体薄膜进行构图,形成位于所述栅线和栅极所在区域内部的源半导体层具体为:在包括所述半导体薄膜的基板上形成正性光刻胶薄膜;从所述基板的与第一面相对的第二面对所述正性光刻胶薄膜进行曝光处理;对曝光后的正性光刻胶薄膜进行显影,去除位于栅线和栅极所在区域之外的被曝光的正性光刻胶,以暴露位于栅线和栅极所在区域外的半导体薄膜;去除暴露出的位于栅线和栅极所在区域外的半导体薄膜,得到所述源半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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