[发明专利]制造太阳能电池的方法无效
| 申请号： | 201310737942.3 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103928566A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 金珉圣;金旼奎;金秀娟;南毓铉;姜球贤 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于制造太阳能电池的方法包括：在基板上形成第一电极；去除第一电极的一部分以形成第一电极开口；在第一电极上和在第一电极开口中形成光吸收层；以及对基板施加激光束以在第一电极和至少光吸收层之间产生界面反应，从而去除光吸收层的一部分以形成光吸收层开口。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造太阳能电池的方法，所述方法包括：在基板上形成第一电极；去除第一电极的一部分以形成第一电极开口；在第一电极上和在第一电极开口中形成光吸收层；以及对基板施加激光束以在第一电极和至少光吸收层之间产生界面反应，从而去除光吸收层的一部分以形成光吸收层开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
