[发明专利]一种HKMG器件及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种HKMG器件及其制备方法，在进行后栅极工艺时，于层间介质层平坦化工艺步骤形成的器件结构基础上，通过先移除样本栅，再继续涂覆深紫外线吸收氧化材料层，并利用光刻、刻蚀工艺，刻蚀PFET器件区域中的深紫外线吸收氧化材料层至衬底中，以部分刻蚀衬底形成衬底凹槽，并于该衬底凹槽中继续生长SiGe层、Si层和绝缘层后，于该绝缘层的上表面继续后续的双金属栅极工艺，以最终形成具有SiGe沟道的MOSFET器件；采用上述工艺制备的MOSFET，其在提供满足工艺需求的低阈值电压的同时，还能够有效的抑制HKMG器件的短沟道效应。

主权项

一种HKMG器件，其特征在于，所述HKMG器件至少包括一具有PFET器件区域的衬底，所述PFET器件区域中包括源区和漏区，且位于所述PFET器件区域中的衬底上还设置有第一金属栅极结构；所述第一金属栅极结构与所述衬底之间按照从上至下顺序还依次设置有绝缘层、Si层和SiGe层；其中，所述绝缘层、所述Si层和所述SiGe层均位于所述源区和所述漏区之间的PFET器件区域中。