[发明专利]使用沟道自对准硅化物布线层的方法

摘要

本发明涉及使用沟道自对准硅化物布线层的方法，所揭露的是使用分段式沟道自对准硅化物层(segmented trench salicide layer)而能选择性连接鳍结构(fin structure)的方法以及所产生的装置(resulting device)。具体实施例包括在基底上提供至少一个栅极结构；提供依垂直方向与至少一个栅极结构相交的第一与第二鳍结构；以及提供自对准硅化物层的第一区段(segment)，第一区段沿着水平方向形成并且与第二鳍结构连接以及与第一鳍结构分离。

主权项

一种制造半导体装置的方法，包含：在基底上提供至少一个栅极结构；提供朝垂直方向与该至少一个栅极结构相交的第一与第二鳍结构；提供自对准硅化物层的第一、第二以及第三组区段，该第一、第二以及第三组中的每一个具有不同的垂直位置，借由该至少一个栅极结构中的其中一个栅极结构而彼此分离，其中，该第二组将该第一与第三组分开，以及该第一、第二以及第三组区段的每一个包含具有沿着与该垂直方向垂直的水平方向延伸的长度的区段；提供该自对准硅化物层的该第一组区段内的第一区段，该第一区段与该第二鳍结构连接并且与该第一鳍结构分离；以及提供该自对准硅化物层的该第二组区段内的第二区段，该第二区段选择性与该第一鳍结构连接并且与该第二鳍结构分离；其中，该自对准硅化物层的区段的位置用于在1‑1‑2型静态随机存取内存(SRAM)结构与1‑2‑2型静态随机存取内存(SRAM)结构之间选择。