[发明专利]非易失性存储装置有效
| 申请号： | 201310741526.0 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104282709B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 菅野裕士;峰村洋一;冢本隆之;大川隆圣;吉田敦;田端英之 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 陈海红,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例的非易失性存储装置具备第1布线，在第1方向延伸；第2布线，在与上述第1方向正交的第2方向延伸，与上述第1布线电连接；多个第3布线，在与上述第1方向交叉且与上述第2方向正交的第3方向分别延伸。上述多个第3布线在上述第2布线的两侧中，沿着上述第2方向并排设置。上述装置还具备第1存储层，设置在上述多个第3布线中隔着上述第2布线相向的2个第3布线的一方和上述第2布线之间；第2存储层，设置在上述2个第3布线的另一方和上述第2布线之间。上述第2布线在与上述第1存储层连接的第1部分和与上述第2存储层连接的第2部分之间具有块部。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储装置，其特征在于，具备：第1布线，在第1方向延伸；第2布线，在与上述第1方向正交的第2方向延伸，与上述第1布线电连接；多个第3布线，在与上述第1方向交叉且与上述第2方向正交的第3方向分别延伸，在上述第2布线的两侧，沿着上述第2方向并排设置；第1存储层，设置在上述多个第3布线中隔着上述第2布线相向的2个第3布线的一方和上述第2布线之间；第2存储层，设置在上述2个第3布线的另一方和上述第2布线之间，上述第2布线在与上述第1存储层连接的第1部分和与上述第2存储层连接的第2部分之间具有块部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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