[发明专利]一种有机电致发光显示器件、其制备方法及显示装置在审
申请号: | 201310743031.1 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103681773A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 任章淳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种有机电致发光显示器件,其制备方法及显示装置,该显示器件包括衬底基板,以及位于衬底基板上的薄膜晶体管和有机电致发光结构;其中,薄膜晶体管中的有源层与有机电致发光结构中的阳极同层设置。由于在该OLED器件中,有源层采用透明氧化物半导体材料,对氧化物半导体材料进行等离子体处理可以提高氧化物半导体材料中载流子的浓度,因此可以采用制备有源层的氧化物半导体材料来制备阳极,从而将阳极与有源层同层设置,这样在制备OLED器件时,就不需要增加新的制备阳极的构图工艺,仅需变更对应的膜层的构图即可实现有源层和阳极同时制备,从而可以简化工艺步骤,节省生产成本,提高生产效率,缩短生产时间。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 显示 器件 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种有机电致发光显示器件,包括衬底基板,以及位于所述衬底基板上的薄膜晶体管和有机电致发光结构;其中,所述薄膜晶体管包括相互绝缘的栅电极和有源层,以及与所述有源层分别电性连接的源电极和漏电极;所述有机电致发光结构包括依次层叠设置的阳极、发光层和阴极,所述阳极与所述漏电极电性连接,其特征在于:所述阳极与所述有源层同层设置,所述有源层的材料为透明氧化物半导体材料,所述阳极的材料为所述透明氧化物半导体材料经过等离子体处理后的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的