[发明专利]引线框架、QFN封装体、及形成QFN封装体的方法有效

专利信息
申请号: 201310752935.0 申请日: 2013-12-31
公开(公告)号: CN103681585A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 郭桂冠 申请(专利权)人: 苏州日月新半导体有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 章蕾
地址: 215021 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及引线框架、QFN封装体、及形成QFN封装体的方法。一种适于QFN封装的引线框架包括第一芯片座和相邻的第二芯片座、第一引脚阵列和第二引脚阵列。第一、第二引脚阵列配置为连接位于其各自近侧的第一、第二芯片座的电路。第一引脚阵列和第二引脚阵列通过连筋连接在一起,且在曝露表面具有凹槽,该凹槽在去除连筋后仍会部分保留,该凹槽的保留部分的深度在引脚厚度的1/3~2/3的范围之内,开口宽度在引脚宽度的1/4~2/3的范围之内,在引脚长度方向上延伸至1/6~1/2的范围之内。凹槽的该保留的部分在单独的芯片封装体中曝露在外,在表面贴装程序中,融化的焊料更容易沿凹槽浸润以使得表面贴装更为牢固。
搜索关键词: 引线 框架 qfn 封装 形成 方法
【主权项】:
一种适于QFN封装的引线框架,其特征在于,该引线框架包括:第一芯片座和相邻的第二芯片座;第一引脚阵列,其位于所述第一芯片座朝向所述第二芯片座的一侧,配置为连接位于所述第一芯片座的电路;第二引脚阵列,其位于所述第二芯片座朝向所述第一芯片座的一侧,配置为连接位于所述第二芯片座的电路;其中,所述第一引脚阵列和第二引脚阵列通过连筋连接在一起,且在所述第一引脚阵列和第二引脚阵列的曝露表面具有凹槽,该凹槽在去除所述连筋后仍会部分保留,该凹槽的保留部分的深度在引脚厚度的1/3~2/3的范围之内,开口宽度在引脚宽度的1/4~2/3的范围之内,在引脚长度方向上延伸至1/6~1/2的范围之内。
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