[发明专利]浅沟槽隔离的制造方法有效
| 申请号： | 201310753728.7 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103730404B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种浅沟槽隔离的制造方法，提供衬底，在所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和刻蚀阻挡层；刻蚀所述刻蚀阻挡层、衬垫氧化层和衬底，以形成位于所述衬底中的浅沟槽；于所述浅沟槽表面形成隔离层；在所述隔离层表面形成填充满所述浅沟槽的多晶硅层；对上述所形成的层叠结构离子注入锗，并进行退火处理。为此，本发明在与现有工艺相兼容的基础上，在沟槽内填充应变隔离材料以提高沟道应力，提高了CMOS器件的性能，大大减少了改善工艺环境所带来的投资，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S01，提供衬底，在所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和刻蚀阻挡层；步骤S02，刻蚀所述刻蚀阻挡层、衬垫氧化层和衬底，以形成位于所述衬底中的浅沟槽；步骤S03，于所述浅沟槽表面形成隔离层；步骤S04，在所述隔离层表面形成填充满所述浅沟槽的多晶硅层；步骤S05，对上述所形成的层叠结构离子注入锗，并进行退火处理，形成位于所述隔离层表面并填充满所述浅沟槽的锗硅层；其中，退火的温度为700℃～900℃，退火时间为20秒～35秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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