[发明专利]一种感光单元、显示面板的阵列基板及其制作方法无效
申请号: | 201310753810.X | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103762263A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 戴天明 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/105 | 分类号: | H01L31/105;H01L31/0352;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;刘华联 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种感光单元、显示面板的阵列基板及其制作方法。其中,感光单元采用P型掺杂区/本征区/N型掺杂区结构进行光电转换,产生的光电流不易因工作电压的波动而发生剧烈变化,准确度较高,此外,由于感光单元优选纵向设置P型掺杂区/本征区/N型掺杂区结构,因此当配置于显示面板的阵列基板上时,能够更加灵活地设置本征区长、宽、高的尺寸,尽可能地增大感光单元的光学感测区域,提升光电转换能力,从而使得包含有该感光单元的显示面板阵列基板、显示面板具有更好的环境光线感测能力,可靠性较高,灵敏度较高。本发明适用于各类型的显示面板。 | ||
搜索关键词: | 一种 感光 单元 显示 面板 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种感光单元,其特征在于,配置于显示面板的阵列基板上,包括:第一导电型掺杂区,第二导电型掺杂区,设置在所述第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区之间的本征区,其中所述第一导电型掺杂区掺杂离子与第二导电型掺杂区掺杂离子电性相反;以及与所述第一导电型掺杂区和第二导电型掺杂区分别电性连接的第一感测电极和第二感测电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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