[发明专利]一种干法刻蚀机及其刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310753880.5 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103745904A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 刘思洋 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 蔡晓红 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种干法刻蚀机及其刻蚀方法。该干法刻蚀机包括反应室以及设置于反应室中的上电极板和下电极板，上电极板上开设有多个用于向反应室中通入气体的通气孔，多个通气孔与多个刻蚀区域一一对应设置；还包括：与反应室连接的流量控制器，用于交替地控制多个通气孔中的气流量；设置在反应室中的多个刻蚀速率检测装置，用于检测基板上各个刻蚀区域的刻蚀速率；分别与流量控制器和多个刻蚀速率检测装置电连接的中央控制器，用于获取多个刻蚀区域的刻蚀速率，并在至少两个刻蚀区域的刻蚀速率不等时，在至少两个刻蚀区域的刻蚀速率不等时控制流量控制器调整相应的通气孔的气流量，以使多个刻蚀区域的刻蚀速率均相等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种干法刻蚀机，用于对基板上多个刻蚀区域进行薄膜刻蚀，包括反应室以及设置于所述反应室中的上电极板和下电极板，所述上电极板上开设有多个用于向所述反应室中通入气体的通气孔，所述多个通气孔与所述多个刻蚀区域一一对应设置；其特征在于，所述干法刻蚀机还包括：与所述反应室连接的流量控制器，用于交替地控制所述多个通气孔中的气流量；设置在所述反应室中的多个刻蚀速率检测装置，用于检测所述多个刻蚀区域的刻蚀速率；以及分别与所述流量控制器以及所述多个刻蚀速率检测装置电连接的中央控制器，用于获取所述多个刻蚀区域的刻蚀速率，并在至少两个所述刻蚀区域的刻蚀速率不等时，控制所述流量控制器调整与所述至少两个刻蚀区域相对应的通气孔的气流量，以使所述多个刻蚀区域的刻蚀速率均相等。
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