[发明专利]半导体封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201310757154.0 申请日: 2013-11-26
公开(公告)号: CN103839918A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: F·德切;D·梅因霍尔德;T·沙夫 申请(专利权)人: 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L23/488;H01L21/60;H01L21/78
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 马丽娜;徐红燕
地址: 德国德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 半导体封装及其制造方法。根据本发明的实施例,一种半导体器件包含具有第一侧面和相对的第二侧面的半导体芯片,和设置在半导体芯片的第一侧面上的芯片接触焊盘。介电衬垫设置在半导体芯片上。介电衬垫包含在芯片接触焊盘上的多个开口。互连通过在芯片接触焊盘处的所述多个开口接触半导体芯片。
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件,包含:第一半导体芯片,具有第一侧面和相对的第二侧面;第一芯片接触焊盘,设置在第一半导体芯片的第一侧面上;介电衬垫,设置在第一半导体芯片上,介电衬垫包含在第一芯片接触焊盘上的多个第一开口;以及第一互连,通过在第一芯片接触焊盘处的所述多个第一开口接触第一半导体芯片。
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