[实用新型]一种影像传感器有效
申请号: | 201320016237.X | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN203085539U | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 李平 | 申请(专利权)人: | 陆伟 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 200124 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种感光元件,具体的是一种影像传感器。它包括硅晶圆,所述硅晶圆上附着有蒸汽氧化物,所述蒸汽氧化物上有高介质层,所述高介质层上附着有金属遮蔽层,所述金属遮蔽层上附着有滤光片及透光镜,其特征在于,还包括热膨胀缓冲层,所述热膨胀缓冲层位于所述蒸汽氧化物和所述高介质层之间,所述膨胀缓冲层附着在所述蒸汽氧化物上。在所述蒸汽氧化物和所述高介质层之间增加了热膨胀缓冲层,使本实用新型在外界温度产生变化的时候,所述蒸汽氧化物和所述高介质层之间有一个热缓冲的过渡,较好的解决了薄膜脱落的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 影像 传感器 | ||
【主权项】:
一种影像传感器,包括硅晶圆,所述硅晶圆上附着有蒸汽氧化物,所述蒸汽氧化物上有高介质层,所述高介质层上附着有金属遮蔽层,所述金属遮蔽层上附着有滤光片及透光镜,其特征在于,还包括热膨胀缓冲层,所述热膨胀缓冲层位于所述蒸汽氧化物和所述高介质层之间,所述膨胀缓冲层附着在所述蒸汽氧化物上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的