[实用新型]FET型铁氧体磁芯成型上模的改良结构有效

专利信息
申请号: 201320041174.3 申请日: 2013-01-25
公开(公告)号: CN203092725U 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: 高伟华 申请(专利权)人: 昆山尼赛拉电子器材有限公司
主分类号: B28B7/00 分类号: B28B7/00;H01F41/02
代理公司: 昆山四方专利事务所 32212 代理人: 盛建德
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种FET型铁氧体磁芯成型上模的改良结构,该改良结构在上模底座的成型面上间隔固设有横截面呈长条形结构的第一、二压块,且该长条形结构的两端均朝同向弯折延伸形成足部,第一压块的两足部朝向第二压块两足部的背面,以成型上模的使用方向为基准,第一、二压块的两足部下端面上分别形成有一倾斜面,且该分别位于两足部上的倾斜面呈相对设置,这样在压制后所得的未烧结坯件对应足部处将形成相应斜面,在成型坯件烧结时,坯件斜面部分在高温下下垂,坯件两腿之间尺寸向内弯曲部分因受到该下垂力的作用而得到改善,解决最终产品尺寸不良的问题,使其可以正常插入变压器骨架内,且产品良品率从原来的60%提高到现在的94%。
搜索关键词: fet 铁氧体 成型 改良 结构
【主权项】:
一种FET型铁氧体磁芯成型上模的改良结构,包括上模底座(1),该上模底座(1)的成型面上间隔固设有第一、二压块(2、3),该第一、二压块(2、3)的横截面均呈长条形结构,且该长条形结构的两端均朝同向弯折延伸形成足部(4),所述第一压块(2)的两足部朝向第二压块(3)两足部的背面,以成型上模的使用方向为基准,其特征在于:第一压块(2)两足部下端面上分别形成有一第一倾斜面(21),且两所述第一倾斜面(21)相对设置;第二压块(3)两足部下端面上分别形成有一第二倾斜面(31),且两所述第二倾斜面(31)相对设置。
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